Физико-химические основы формирования керамики на основе SiC: Монография
Шабанов Ш. Ш., Кардашова Г. Д.
Данная монография является результатом большого цикла работ, выполненных под руководством авторов. Результаты, полученные авторами, актуальны для большинства читателей. Это объясняется новизной и своеобразием объекта исследования, в качестве которого были выбраны твердые растворы на основеSiC. В монографии приведен термодинамический анализ закономерностей формирования твердых растворов, изучается моделирование процесса спекания керамики на основе карбида кремния. Представлена математическая модель расчета температурно-временного режима процесса спекания керамических материалов. Книга адресована научным сотрудникам и специалистам, работающим в области физики и технологии керамических материалов на основе широкозонных полупроводниковых соединений для твердотельной электроники.
Jahr:
2016
Verlag:
ЭБС Лань
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 1.37 MB
IPFS:
,
russian, 2016