谐振隧穿器件及其数字集成电路

1 (p1): 第一章 新概念晶体管
1 (p1-1): 第一节 晶体管的新概念
21 (p1-2): 第二节 后CMOS器件的候选者
29 (p1-3): 第三节 太赫兹（THz）波器件的几个基本问题
41 (p1-4): 第四节 固体纳米电子器件和分子器件
59 (p2): 第二章 谐振隧穿器件
59 (p2-1): 第一节 谐振隧穿二极管概论
75 (p2-2): 第二节 谐振隧穿二极管的物理模型
86 (p2-3): 第三节 谐振隧穿二极管中的电荷积累效应
97 (p2-4): 第四节 谐振隧穿二极管的材料结构设计
107 (p2-5): 第五节 RTD的器件结构及制造工艺
131 (p2-6): 第六节 RTD交流小信号等效电路模型
144 (p2-7): 第七节 RTD器件参数和测量方法
162 (p2-8): 第八节 RTD的器件模型和模拟
174 (p2-9): 第九节 带间谐振隧穿二极管（RITD）
194 (p2-10): 第十节 谐振隧穿晶体管
251 (p3): 第三章 谐振隧穿晶体管数字集成电路
251 (p3-1): 第一节 谐振隧穿晶体管数字集成电路概述
275 (p3-2): 第二节 单一双稳转换逻辑单元（MOBILE）及其构成的数字电路
291 (p3-3): 第三节 MOBILE的瞬态特性分析
308 (p3-4): 第四节 三个以上RTD串联构成的电路
328 (p3-5): 第五节 SD/RITD流水线逻辑门电路
341 (p3-6): 第六节 RTD/HEMT A/D转换器电路
352 (p3-7): 第七节 RTD/HFET新型MOBILE柔性逻辑电路和逻辑加法器设计
366 (p3-8): 第八节 RTD多峰负阻特性在数字电路中的应用